亲爱的网友们，很多人可能对肖特基二极管的有关信息和肖特基二极管与普通二极管有什么不是很了解，所以今天我来和大家分享一些关于肖特基二极管的有关信息和肖特基二极管与普通二极管有什么的知识，希望能够帮助大家更好地了解这个话题。

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肖特基二极管的有关信息

肖特基二极管是以它的发明人的名字而命名的，又被称作是肖特基势垒二极管。它是一种功耗比较低、超高速的半导体器件。通常它多出现在通信电源以及变频器等地方，它能够在很短的时间内进行反向的恢复，并且能够很好的提高晶体管的开关速度。而且在很多实际的操作中可以发挥都很好的辅助作用。
(一)肖特基二极管的特点
1 肖特基二极管的高度要比PN结势垒的高度更低，同时它正向导通门限电压以及正向电压都要比PN结二极管低。
2 肖特基二极管是一种多数载流子导电的器件，而且它的电容的充电和放电时间和速度与同类的器件相比有所不同。同时因为肖特基二极管本身的电荷比较的少，所以在正真运行的过程中它的开关的速度是非常快的，而且它在运作过程中的消耗量也是非常小，很适用于那些高频的操作。
3 肖特基二极管具有反向势垒比较薄的特点，因此在运行的过程中容易对表面造成一定的伤害，所以它的反向击穿电压就比较低了。
4 肖特基二极管与其它相似的器件相比，比较容易受热击穿，所以它本身的反向漏电流是比较大的。
(二)肖特基二极管优缺点
1 肖特基二极管的优点：器件本身具有很高的开关频率，而且它的反向击穿电压比较的低。同时因为技术的不断改进，对新型材料的使用，使得肖特基二极管本身充满了生机以及很强的竞争力。
3 肖特基二极管的不足：在运行的过程中，肖特基二极管的反向偏压比较的低，同时它的反向漏电流却是比较大的，而且在实际的操作过程中它容易产生发热的现象，对器件的运作和效率都会造成一定的影响。
(三)肖特基二极管的封装
1 采用有引线式封装：采用这种方式封装的二极管多是作为保护二流管、整流二流管使用。
2 采用表面封装：一般这种封装方式的有单管型、双管型以及三管型等多种的形式。
肖特基二极管虽然有不足的地方，但是它总体上还是给人们带来了很多的福利。在我们生活和生产的很多地方都要使用到这种器件，随着技术的而不断改进以及对产品的不断开发，质量更好、工作效率更高的肖特基二极管被逐渐的发明、生产出来。

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肖特基二极管与普通二极管有什么区别

肖特基二极管与普通二极管的区别：

硅管的初始导通压降是0.5V左右，正常导通压降是0.7V左右，在接近极限电流情况下导通压降是1V左右；

锗管的初始导通压降是0.2V左右，正常导通压降是0.3V左右，在接近极限电流情况下导通压降是0.4V左右，

肖特基二极管的初始导通压降是0.4V左右，正常导通压降是0.5V左右，在接近极限电流情况下导通压降是0.8V左右。

两种二极管都是单向导电，可用于整流场合。区别是普通硅二极管的耐压可以做得较高，但是它的恢复速度低，只能用在低频的整流上，如果是高频的就会因为无法快速恢复而发生反向漏电，最后导致管子严重发热烧毁;肖特基二极管的耐压能常较低，但是它的恢复速度快，可以用在高频场合，故开关电源采用此种二极管作为整流输出用，尽管如此，开关电源上的整流管温度还是很高的。

快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下)，工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(1-2V)，反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(SchottkyBarrierDiode)，具有正向压降低(0.4--0.5V)、反向恢复时间很短(10-40纳秒)，而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。这两种管子通常用于开关电源。肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒~!前者的优点还有低功耗，大电流，超高速~!电气特性当然都是二极管阿~!快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。

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什么是肖特基二极管 肖特基二极管的解释

1、肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。
2、因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。

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二极管知识课堂：肖特基二极管

肖特基（Schottky）二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）简称SBD。SBD不是运用P型半导体与N型半导体触摸形成PN结原理制造的，而是运用金属与半导体触摸形成的金属－半导体结原理制造的。因而，SBD也称为金属－半导体（触摸）二极管或外表势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
上图是在 电子元器材采购网 深铭易购买的肖特基二极管SS14 SMA(DO-214AC) 40V,1A,VF=0.55V 1A，肖特基二极管是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器材。其反向康复时间极短（能够小到几纳秒），正导游通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。这些优秀特性是快康复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多选用封装办法。
肖特基二极管分为有引线和外表安装（贴片式）两种封装办法，选用有引线式封装的肖特基二极管一般作为高频大电流整流二肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管极管、续流二极管或维护二极管运用。它有单管式和对管（双二极管）式两种封装办法。
肖特基对管又有共阴（两管的负极相连）、共阳（两管的正极相连）和串联（一只二极管的正极接另一只二极管的负极）三种管脚引出办法。
选用外表封装的肖特基二极管有单管型、双管型和三管型等多种封装办法，有A~19种管脚引出办法。
肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器材。最明显的特点为反向康复时间极短（能够小到几纳秒），正导游通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、维护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管运用。在通信电源、变频器等中比较常见。
一个典型的使用，是在双极型晶体管BJT 的开关电路里面, 通过在 BJT 上连接 Shockley 二极管来箝位，使得晶体管在导通状况时其实处于很接近截止状况，从而进步晶体管的开关速度。这种办法是 74LS，74ALS，74AS 等典型数字 IC 的 TTL内部电路中运用的技术。
肖特基（Schottky）二极管的最大特点是正向压降 VF 比较小。在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的康复时间短。它也有一些缺陷：耐压比较低，漏电流稍大些。选用时要全面考虑。
肖特基二极管一般用在电源次级输出整流上面。
作用仍是整流，其优势是正向压降低，反向康复时间快，所以整体损耗会比其他的二极管低许多。
B5819W为集电极电流1A 基极电压40V的贴片肖特基管，1N5819为参数相同的插件式肖特基管，两个管只是封装不同。简单来说便是一个是贴片的 一个是插接件式的。
SBD具有开关频率高和正向压降低一级长处，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，最高仅约100V，以致于限制了其使用规模。像在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路功率开关器材的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V～1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，只有运用快速康复外延二极管（FRED）和超快速康复二极管（UFRD）。目前UFRD的反向康复时间Trr也在20ns以上，根本不能满足像空间站等范畴用1MHz～3MHz的SMPS需要。即使是硬开关为100kHz的SMPS，因为UFRD的导通损耗和开关损耗均较大，壳温很高，需用较大的散热器，从而使SMPS体积和分量添加，不符合小型化和轻浮化的发展趋势。因而，发展100V以上的高压SBD，一直是人们研究的课题和关注的热点。
SBD的主要长处包含两个方面：
1）因为肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正导游通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。
2）因为SBD是一种大都载流子导电器材，不存在少数载流子寿命和反向康复问题。SBD的反向康复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向康复时间。因为SBD的反向康复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频使用。
可是，因为SBD的反向势垒较薄，并且在其外表极易发生击穿，所以反向击穿电压比较低。因为SBD比PN结二极管更简单受热击穿，反向漏电流比PN结二极管大。
以上便是肖特基二极管封装_肖特基二极管作用，期望对各位有协助

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肖特基二极管的作用

肖特基二极管的作用

肖特基二极管的作用，相信大家听到肖特基二极管会觉得很陌生，但实际上我们身边到处都应用这肖特基二极管，我们的通讯信号就是由肖特基二极管二极管传播，接下来跟大家分享肖特基二极管的作用。

肖特基二极管的作用1

肖特基二极管作用：

肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。

一个典型的应用，是在双极型晶体管 BJT 的开关电路里面，通过在 BJT 上连接 Shockley 二极管来箝位，使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态，从而提高晶体管的开关速度。这种方法是 74LS，74ALS，74AS 等典型数字 IC 的 TTL内部电路中使用的技术。

肖特基（Schottky）二极管的最大特点是正向压降 VF 比较小。在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。

极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。

肖特基二极管的作用2

肖特基二极管

肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。

肖特基二极管的作用及其接法

肖特基二极管的作用及其接法,肖特基二极管肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。

1、肖特基二极管的作用及其接法-整流

利用肖特基二极管单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉冲直流电。

在电路中，电流只能从肖特基二极管的正极流入，负极流出。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子，在P区和N区间形成一定的位垒。外加电压使P区相对N区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压降（典型值为0.7V）,称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加，可承受高的反向电压，流过很小的反向电流（称反向漏电流），称为反向阻断状态。

肖特基二极管主要用于各种低频半波整流电路，全波整流。整流桥就是将整流管封在一个壳内了。分全桥和半桥。全桥是将连接好的桥式整流电路的四个肖特基二极管封在一起。半桥是将四个肖特基二极管桥式整流的一半封在一起，用两个半桥可组成一个桥式整流电路，一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路；在整流桥的每个工作周期内，同一时间只有两个肖特基二极管进行工作，通过肖特基二极管的单向导通功能，把交流电转换成单向的直流脉动电压。

2、肖特基二极管的作用及其接法-开关

肖特基二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。利用肖特基二极管的开关特性，可以组成各种逻辑电路。由于肖特基二极管具有单向导电的特性，在正偏压下PN结导通，在导通状态下的’电阻很小，约为几十至几百欧；在反向偏压下，则呈截止状态，其电阻很大，一般硅肖特基二极管在10ΜΩ以上，锗管也有几十千欧至几百千欧。利用这一特性，肖特基二极管将在电路中起到控制电流接通或关断的作用，成为一个理想的电子开关。

最基本的开关电路如图所示，在这个电路中，肖特基二极管的两端分别通过电阻连接到Vcc和GND上，肖特基二极管处于反向偏置的状态，不会导通。通过C1点施加的交流电压就无法通过肖特基二极管，在C2后无法检测到交流成分。

在这张图中，肖特基二极管的接法与上图相反，处于正向导通状态的肖特基二极管可以使得施加在C1点的交流信号通过肖特基二极管，并在C2的输出出呈现出来。这就是二极管导通时的状态，我们也可称它为开关的“导通”状态。

这是一个最简单的电路，通过直流偏置的状态来调节肖特基二极管的导通状态。从而实现对交流信号的控制。在实用的过程中，通常是保证一边的电平不变，而调节另一方的电平高低，从而实现控制二极管的导通与否。在射频电路中，这种设计多会在提供偏置的线路上加上防止射频成分混入逻辑/供电线路的措施以减少干扰，但总的来说这种设计还是很常见的。

3、肖特基二极管的作用及其接法-限幅

所谓限幅肖特基二极管就是将信号的幅值限制在所需要的范围之内。由于通常所需要限幅的电路多为高频脉冲电路、高频载波电路、中高频信号放大电路、高频调制电路等，故要求限幅肖特基二极管具有较陡直的U-I特性，使之具有良好的开关性能。

限幅肖特基二极管的特点：1、多用于中、高频与音频电路；2、导通速度快，恢复时间短；3、正偏置下二极管压降稳定；4、可串、并联实现各向、各值限幅；5、可在限幅的同时实现温度补偿。

肖特基二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7V，锗管为0.3V）。利用这一特性，在电路中作为限幅元件，可以把信号幅度限制在一定范围内。

4、肖特基二极管的作用及其接法-续流

肖特基二极管并联在线两端,当流过线圈中的电流消失时,线圈产生的感应电动势通过二极管和线圈构成的回路做功而消耗掉.从而保护了电路中的其它原件的安全.续流二极管在电路中反向并联在继电器或电感线圈的两端,当电感线圈断电时其两端的电动势并不立即消失,此时残余电动势通过一个肖特基二极管释放,起这种作用的二极管叫续流二极管。电感线圈、继电器、可控硅电路等都会用到续流二极管防止反向击穿现象。

凡是电路中的继电器线圈两端和电磁阀接口两端都要接续流二极管。接法如上面的图，肖特基二极管的负极接线圈的正极，肖特基二极管的正极接线圈的负极。不过，你要清楚，续流二极管并不是利用肖特基二极管的反方向耐压特性，而是利用肖特基二极管的单方向正向导通特性。

5、肖特基二极管的作用及其接法-检波

检波（也称解调）肖特基二极管的作用是利用其单向导电性将高频或中频无线电信号中的低频信号或音频信号取出来，广泛应用于半导体收音机、收录机、电视机及通信等设备的小信号电路中，其工作频率较高，处理信号幅度较弱。

检波肖特基二极管在电子电路中用来把调制在高频电磁波上的低频信号（如音频信号）检出来。一般高频检波电路选用锗点接触型检波二极管。它的结电容小，反向电流小，工作频率高。

6、肖特基二极管的作用及其接法-变容

变容肖特基二极管(VaractorDiodes)又称“可变电抗二极管“，是利用pN结反偏时结电容大小随外加电压而变化的特性制成的。反偏电压增大时结电容减小、反之结电容增大，变容肖特基二极管的电容量一般较小，其最大值为几十皮法到几百皮法，最大区容与最小电容之比约为5:1。它主要在高频电路中用作自动调谐、调频、调相等、例如在电视接收机的调谐回路中作可变电容。

当外加顺向偏压时，有大量电流产生，PN（正负极）结的耗尽区变窄，电容变大，产生扩散电容效应；当外加反向偏压时，则会产生过渡电容效应。但因加顺向偏压时会有漏电流的产生，所以在应用上均供给反向偏压。

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肖特基二极管与普通二极管有什么区别呀

肖特基二极管与普通二极管区别如下：

一、正向压降数值不同：

直接用数字万用表测（小电流）普通二极管在0.5V以上，肖特基二极管在0.3V以下，大电流时普通二极管在0.8V左右，肖特基二极管在0.5V以下；SR350 就是表示3A50V。另肖特基二极管耐压一般在100V以下，没有150V以上的。

二、特点不同：

肖特基（Schottky）二极管的最大特点是正向压降VF比较小。在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点：耐压比较低，漏电流稍大些。

三、耐压不同：

普通硅二极管的耐压可以做得较高，但是它的恢复速度低，只能用在低频的整流上，如果是高频的就会因为无法快速恢复而发生反向漏电，最后导致管子严重发热烧毁。

肖特基二极管的耐压能常较低，但是它的恢复速度快，可以用在高频场合，故开关电源采用此种二极管作为整流输出用，尽管如此，开关电源上的整流管温度还是很高的。

二极管特性：

二极管具有单向导电性，在二极管加有正向电压，当电压值较小时，电流极小；当电压超过0.6V时，电流开始按指数规律增大，通常称此为二极管的开启电压；当电压达到约0.7V时，二极管处于完全导通状态，通常称此电压为二极管的导通电压，用符号UD表示。

对于锗二极管，开启电压为0.2V，导通电压UD约为0.3V。在二极管加有反向电压，当电压值较小时，电流极小，其电流值为反向饱和电流IS。

最高工作频率是二极管工作的上限频率。因二极管与PN结一样，其结电容由势垒电容组成。所以最高工作频率的值主要取决于PN结结电容的大小。若是超过此值。则单向导电性将受影响。

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二极管，肖特基二极管，快恢复二极管的区别是什么

一、快恢复二极管简称FRD（反向恢复时间很短的二极管），也是一种高速开关二极管，这种二极管的开关特性好，反向恢复时间很短，正向压降低，反向击穿电压较高（耐压值较高），主要应用于开关电源、脉宽调制电路PWM以及变频等电子电路中。
二、肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管。肖特基二极管属于低功耗、超高速半导体器件，其反向恢复时间可小到几个纳秒（2-10ns纳秒），正向压降仅0.4v（0.4--1.0V）左右，而整流电流却克达到几千安。而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。
三、肖特基二极管的恢复时间比快恢复二极管小一百倍左右，肖特基二极管的反向恢复时间大约为几纳秒！前者的优点还有低功耗，超高速！电特性当然都是二极管。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。
以上回答由MDD辰达行电子提供

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肖基特二极管和开关二极管之间有什么联系

1:开关二极管是利用二极管的单向导电性，在半导体PN结加上正向偏压后，在导通状态下，电阻很小（几十到几百欧）；加上反向偏压后截止，其电阻很大（硅管在100MΩ以上）。利用开关二极管的这一特性，在电路中起到控制电流通过或关断的作用，成为一个理想的电子开关。开关二极管的正向电阻很小，反向电阻很大，开关速度很快。
2:肖特基二极管则是利用金属和半导体面接触产生的势垒（barrier）整流作用，这个接触面称为“金属半导体结”，其全名应为肖特基势垒二极管，简称为肖特基二极管。现有肖特基二极管大多数是用硅（Si）半导体材料制作的。20世纪90年代以来，出现了用砷化镓（GaAs）制作SBD。Si-SBD的特点是：正向压降PN结二极管的UDF低，仅为后者的1/2～1/3；trr约为10ns数量级；适用于低电压（小于50V）的功率电子电路中（当电路电压高于100V以上时，则要选用PIV高的SBD，其正向电阻将增大许多）。
肖特基二极管属于大电流、低功耗、超高速半导体整流器件。它的特点是反向恢复时间很短，其值可小到几纳秒，而工作电流却可达到儿千安培。
肖特基二极管在电路中主要是作整流二极管、续流二极管、保护二极管以及小信号检波，主要用在低电压、大电流的电路中，如驱动器、开关电源、变频器、逆变器等电路。对于点接触型肖特基二极管，主要用于微波通信电路。
另外，还有一种铝硅肖特基二极管，除用于开关电路外，主要用于高频电路中作检波和鉴频，代替2AP9等检波二极管。如2S11的频率可达(10的三次方)MHz，广泛用于一般的电子产品。
肖特基二极管的不足之处是反向耐压较低，不适于高反压电路。

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肖特基二极管的作用 肖特基二极管的工作原理

肖特基二极管是一种热载流子二极管。肖特基二极管也被称为肖特基势垒二极管是一种低功耗、超高速半导体器件，肖特基二极管被广泛应用于变频器、开关电源、驱动器等电路，作为低压、高频、大电流整流二极管、保护二极管、续流二极管等使用，肖特基二极管在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。那么肖特基 二极管的作用 是什么呢？那 二极管的作用 具体有哪些呢？下面就对于肖特基二极管具有介绍。

肖特基二极管优点

肖特基二极管具有开关频率高、正向压降低等优点，但肖特基二极管的反向击穿电压比较低，一般不会高于60V，最高仅约为100V，以致于限制了肖特基二极管的应用范围。在变压器次级用100V以上的高频整流二极管、开关电源和功率因数校正电路中的功率开关器件续流二极管、RCD缓冲器电路中用600V～1.2kV之间的高速二极管、PFC升压用600V二极管等情况下时，只有使用快速恢复外延二极管和超快速恢复二极管。现在的肖特基二极管已取得了突破性的进展，150V和200V高压已经上市，使用新型材料制作的超过1kV的肖特基二极管也研制成功。

二极管工作原理

二极管的工作原理(正向导电，反向不导电)

晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成了空间电荷层，并且建有自建电场，当不存在外加电压时，因为p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当产生正向电压偏置时，外界电场与自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。(也就是导电的原因) 当产生反向电压偏置时，外界电场与自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围中与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。(这也就是不导电的原因) 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场当不存在外加电压时，由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。

当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。

当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。

二极管的作用

1、整流

利用二极管单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉冲直流电。

2、开关

二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关;在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。利用二极管的开关特性，可以组成各种逻辑电路。

3、限幅

二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变(硅管为0.7V，锗管为0.3V)。利用这一特性，在电路中作为限幅元件，可以把信号幅度限制在一定范围内。

4、续流

在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起续流作用。

5、检波

在收音机中起检波作用。

6、变容

使用于电视机的高频头中。

7、显示

用于VCD、DVD、计算器等显示器上。

8、稳压

稳压二极管实质上是一个面结型硅二极管，稳压二极管工作在反向击穿状态。在二极管的制造工艺上，使它有低压击穿特性。稳压二极管的反向击穿电压恒定，在稳压电路中串入限流电阻，使稳压管击穿后电流不超过允许值，因此击穿状态可以长期持续并不会损坏。

9、触发

触发二极管又称双向触发二极管(DIAC)属三层结构，具有对称性的二端半导体器件。常用来触发双向可控硅 ，在电路中作过压保护等用途。

肖特基二极管的作用

肖特基二(Schottky)极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的，SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。

它是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。

肖特基二极管特点

由于肖特基二极管基势垒高度低于PN结势垒高度，故肖特基二极管正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低。由于肖特基二极管是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复等问题。肖特基二极管的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管反向恢复时间。由于肖特基二极管的反向恢复电荷少，故肖特基二极管开关速度极快，开关损耗也极小，特别适合于高频应用。

肖特基二极管应用

肖特基二极管的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出等场合用作高频整流，在高频率下用于检波和混频，肖特基二极管在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用肖特基二极管，在高速计算机中也被广泛采用。除了普通PN结二极管的特性参数之外，肖特基二极管用于检波和混频的电气参数还包括中频阻抗，指的就是肖特基二极管施加额定本振功率时对指定中频所呈现的阻抗。以上就是我对于肖特基二极管具体介绍，希望对大家有所借鉴作用。

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